Bộ nhớ flash (flash memory) là một loại bộ nhớ máy tính kiểu bộ nhớ điện tĩnh, có thể bị xóa và lập trình lại. Về mặt kỹ thuật thì bộ nhớ flash có thể được dùng như một loại EEPROM mà ở đó nó có thể được đọc/ghi bằng điện và không mất dữ liệu khi ngừng cung cấp điện. Có 2 kiểu bộ nhớ flash chính đã được tạo ra là NAND và NOR được cấu thành từ các cổng logic. Bộ nhớ flash được cấu thành từ các phần tử (cell) nhớ riêng rẽ với các đặc tính bên trong giống như những cổng logic tương ứng đã tạo ra nó; do đó, ta có thể thực hiện thao tác đọc/ ghi, lưu trữ dữ liệu theo từng phần tử (cell) nhớ một.
Bộ nhớ Flash là một loại bộ nhớ lưu trữ dữ liệu khối, không chuyển động và không cần nguồn điện để giữ lại dữ liệu. Nó được sử dụng trong nhiều thiết bị điện tử, chẳng hạn như điện thoại thông minh, máy tính bảng, máy ảnh kỹ thuật số và ổ đĩa USB.
Flash được gọi là “flash” vì nó có thể xóa một lần và ghi lại dữ liệu mới một lần. Trong bộ nhớ Flash, dữ liệu được lưu trữ trong các ô nhớ gọi là “cell”. Mỗi ô nhớ được lưu trữ bằng một trong hai trạng thái khác nhau, một trạng thái là “1” và trạng thái khác là “0”. Để xóa dữ liệu trong bộ nhớ Flash, tất cả các ô nhớ trong một khối cần phải được xóa cùng một lúc. Sau đó, dữ liệu mới có thể được ghi vào các ô nhớ đã xóa.
Bộ nhớ Flash có nhiều ưu điểm so với các loại bộ nhớ khác, bao gồm khả năng lưu trữ dữ liệu trong một thời gian dài mà không cần nguồn điện, khả năng chịu số lần xóa và ghi dữ liệu nhiều hơn so với bộ nhớ EPROM truyền thống, và tốc độ đọc và ghi nhanh hơn. Nó cũng có kích thước nhỏ gọn, tiết kiệm năng lượng và chi phí sản xuất thấp hơn so với các loại bộ nhớ khác.
……… Bài viết đang được bổ sung!